美光在本周早些时候与投资者和金融分析师举行的业绩电话会议上，表达了对其长期前景和对产品强劲需求的信心，并概述了扩大产能和迅速转向更先进技术的计划。
美光表示:“我们相信，在人工智能、自动驾驶汽车、5G和物联网等广泛长期趋势的推动下，内存和存储的长期需求前景是令人信服的。”“美光在利用这些趋势、创新产品、响应性供应链以及与全球客户建立关系方面处于有利地位。”
近几个季度，DRAM价格大幅下跌，因为供应超过了需求。为了降低成本并为内存的新应用程序做好准备，DRAM制造商正在积极转向更新的进程。与此同时，尽管承认它们需要平衡DRAM的供需，但它们实际上有积极的产能扩张计划，因为它们需要为即将到来的制造技术提供更多的洁净室。
美光对制造工艺有一个积极的路线图，现在正在增加4个10纳米节点(总共有6个10纳米技术)，以研究最终过渡到极紫外光刻(EUVL)。美光还在扩大生产能力，为下一代应用程序生产下一代存储——32 GB的内存模块供消费，64 GB的DIMM供服务器使用。
本月早些时候，我们报道了美光的16gb DDR4内存芯片，该芯片使用了该公司第二代10纳米制造工艺，也称为1Y nm。这些DRAM芯片已经安装在维亚康姆(viacom)和英业达(inventec)使用的32gb DDR4内存芯片中，很快就会上市。
早在4月份，美光在台湾的仓储(前身为rex光电子)就破土动工修建了一个新的洁净室，以应对对DRAM和新工艺技术的需求增加。
美光(台湾)已经在使用第一代10纳米制造技术(也称为1X nm)来制造DRAM产品，并将很快直接进入第三代10纳米制造工艺(也称为1Z nm)。与此同时，美光去年在台中附近开设了一家新的测试和包装工厂，创建了全球唯一垂直集成DRAM生产设施之一。
另外，美光宣布计划斥资20亿美元在日本广岛附近的工厂建造新的洁净室。据报道，新产能将用于制造美光的13纳米技术DRAM。
总的来说，美光将有多个10纳米节点。除了目前使用的第一代和第二代10纳米工艺外，美光还计划引入至少四种10纳米制造工艺:1Z、1 alpha、1 beta和1 gamma。
美光目前正在生产第二代10纳米制造工艺，包括公司的12gb LPDDR4X和16gb DDR4存储设备。
该公司的下一代1Z纳米目前是由客户批准(即。预计不久将宣布，该技术将被用于生产16gb LPDDR5内存设备以及DDR5内存设备。
继1Z纳米节点之后，美光计划开始使用其1-a-nm制造技术，以获得更高的产量，这意味着它处于先进的开发阶段。然后是1 beta nm制程，这也处于开发的早期阶段。
美光没有说它是否会在1nm工艺后直接进入EUV。该公司正在评估ASML的Twinscan NXE步进扫描能力和其他使用极端紫外光刻技术生产它们所需的设备，并正在评估这些工具何时可用于DRAM生产。
